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安森美半导体扩充计算机和游戏机应用的电源管理产品系列,推出新的高密度沟槽MOSFET
作者:佚名
来源:本站原创
更新时间:2009/11/11 10:36:00
正文:

新的NTD49xxNTMFS49xNTTFS49xNTMS49x系列30 VN沟道器件提升开关性能及总能效

 

20091028 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出24款新的30(V)N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAKSO-8FLµ8FLSOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。

 

新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术,提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能,用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器。直接替代NTD48xNTMFS48xNTMS48x系列的DPAKSO-8FLSOIC-8封装方案,以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封装方案,就其封装尺寸而言,提供业界领先的低导通阻抗。

安森美半导体功率MOSFET产品副总裁兼总经理Paul Leonard说:“计算机和游戏机领域的电源管理设计工程师能够利用安森美半导体最新的30 V沟槽MOSFET方案提升总能效。我们利用电源管理及封装技术专长,为我们的客户提供多种方案,以应对提升能效及节省空间等设计挑战。”

 
 
   
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