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支持功率因数校正和反激拓扑的新型超结器件
作者:ctm
来源:本站原创
更新时间:2018-9-7 9:47:00
正文:

2018年8月27日,德国慕尼黑讯——更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本。
 
      950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻,能实现更高密度的设计。此外,出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。与英飞凌业界领先的P7系列其他成员类似的是,该器件集成齐纳二极管ESD保护机制。这可以提高装配生产量,从而降低成本,并减少与ESD有关的生产问题。
 
      950 V CoolMOS P7能使效率提升达1%,并且MOSFET温度得以降低2 ˚C到10 ˚C,实现更高能效的设计。相比前几代CoolMOS系列而言,该器件还将开关损耗降低达58%。较之市场上的竞争技术,这方面的性能提升超过50%。
 
      950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封装。这样就可以从通孔插装器件(THD)变为表面贴装器件(SMD)。

 
 
   
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